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NCP5890
4
220 k
D1
U1
Lx
Vbat
D3
Vos
SDA
I2CADR
PWM1
PWM2
AMBS
PWM3
IREF
D9
FB
GND
SCL
SDA
SFH5711
U3
Log
1 2
+Vbat
C1
4.7 m F/6.3 V 15
1
2
3
GND 4
R3
22 k
R4 GND
5
C4 2.2 m F
7
R1 12 k
6
R2 22 k
L1 4.7 m F
NCP5890
SCL
VSB 12
IPK 9
AGND PGND
NSR0130M2T5G
D11
13 D2
16
R9
D4
11
10
C2
1.0 m F/50 V
GND
D5
D6
D7
D8
R5
100R
R6
100R
R7
100R
R8
100R
GND
8
14
GND
Figure 20. Paralleling Extension LED
ESD PROTECTION CIRCUIT
Depending upon the function of the pin, different
circuitry is applied. The basic structures are illustrated in
Figure 21.
+Vcc
Although the structures are capable to handle the ESD
stresses (as defined by the JEDEC specifications), no
current or voltage, either DC or AC, beyond the maximum
ratings specifications shall be applied to any pin.
D1
FET_P
Vsw pin
I/O Pin
DRIVER
FET_N
D1
Vz45V
D2
FET_N
Standard Low
Voltage Structure
High Voltage
Structure
GND
GND
Figure 21. Typical ESD Protection Structures
GND
UNDERVOLTAGE LOCKOUT
The VUVLO circuit is used to disconnect the chip when
the input voltage is below the minimum operating value.
Vbat
VUVLO
Engage the shutdown mode
The system resumes to normal operation when the input
voltage increases by the minimum value plus the hysteresis
as specified in the data sheet.
Hysteresis
Resume to normal operation
Figure 22. Undervoltage Lockout Basic Mechanism
http://onsemi.com
18
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